Исследование основных характеристик модулей памяти

0

Часть 22: Модули Patriot DDR2-1000


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим очередное предложение неофициальной скоростной категории «DDR2-1000» — двухканальный комплект модулей памяти Patriot суммарным объемом 1 ГБ.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: PDP Systems, Inc.
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.patriotmem.com/products/index.jsp?source=2

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Расшифровка Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. На странице web-сайта производителя, посвященной данным модулям, указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый, рассчитанных на функционирование в режиме DDR2-1000 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении до 2.3 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Eh14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти560h1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)920h2.00 нс (500.0 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1830hCL = 5, 4
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)2325h2.50 нс (400.0 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2500hНе определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)2728h10.0 нс
5.0, CL = 5
4.0, CL = 4
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
3.75, CL = 5
3.0, CL = 4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)2928h10.0 нс
5.0, CL = 5
4.0, CL = 4
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)301Eh30.0 нс
15.0, CL = 5
12.0, CL = 4
Емкость одного физического банка модуля памяти3180h512 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
7.5, CL = 5
6.0, CL = 4
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
3.75, CL = 5
3.0, CL = 4
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
3.75, CL = 5
3.0, CL = 4
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 4037h, 00h55.0 нс
27.5, CL = 5
22.0, CL = 4
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 404Bh, 00h75.0 нс
37.5, CL = 5
30.0, CL = 4
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6200hНе определено
Контрольная сумма байт 0-626320h32 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-717Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh
7Fh, 02h
PDP Systems
Part Number модуля73-90—Не определено
Дата изготовления модуля93-9400h, 00hНе определено
Серийный номер модуля95-9800h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Несмотря на нестандартность самого режима DDR2-1000, содержимое SPD рассматриваемых модулей запрограммировано в хорошем соответствии со стандартом JEDEC. Максимальный скоростной режим, на который рассчитаны модули, соответствует заявленному DDR2-1000, т.к. характеризуется временем цикла 2.0 нс (частота 500 МГц). Этому режиму соответствует первое из поддерживаемых значений tCL = 5, а полная схема таймингов записывается в виде 5-5-5-15, что также соответствует заявленным характеристикам модулей. Уменьшенному значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует период синхросигнала 2.5 нс, т.е. частота 400 МГц (стандартный режим DDR2-800). Полная схема таймингов в этом случае записывается как 4-4-4-12 — что можно считать удачным сочетанием абсолютных значений задержек и периодов синхросигнала, не допускающем нецелых конечных значений таймингов. Небольшим отклонением от стандарта можно считать неверный (отсутствующий) номер ревизии SPD (00h) и отсутствие данных о Part Number, серийном номере и дате изготовления модулей, в то время как идентификационный код производителя указан верно.

Конфигурация тестового стенда

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x512 МБ Patriot DDR2-1000

Результаты тестирования

Тесты производительности

В отличие от двух предыдущих исследований высокоскоростных модулей DDR2 (часть 20 и часть 21), в которых использовалась новая версия тестового пакета RMMA 3.65, в настоящем исследовании (выполненном раньше во временном отношении) применялась предыдущая версия 3.62 со «старыми» параметрами подтестов, несколько завышающих результаты измерения пропускной способности памяти вследствие сравнительно большого объема L2-кэша (2 МБ) в соотношении с размером тестируемого блока памяти (16 МБ).

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование данных модулей, естественно, планировалось в двух скоростных режимах — как стандартном DDR2-800 (при частоте FSB 200 и 266 МГц), так и в нестандартном DDR2-1000 (частота FSB 250 МГц), однако в последнем случае, даже при использовании самой медленной схемы таймингов 5-6-6-18 и питающего напряжения 2.3 В, в тесте стабильности памяти быстро обнаруживались ошибки. Печально, но факт: заявленный режим «DDR2-1000» рассматриваемые модули «не потянули». По крайней мере — на данной материнской плате ASUS P5WD2-E Premium с данной версией BIOS (0206).

Для стандартного режима DDR2-800 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-12, что, вообще говоря, несколько странно, учитывая наличие данных об этом режиме в микросхеме SPD (тайминги 4-4-4-12).

Параметр / РежимDDR2-800
Частота FSB, МГц200266
Тайминги5-5-5-125-5-5-12
Средняя ПСП на чтение, МБ/с56246887
Средняя ПСП на запись, МБ/с23282547
Макс. ПСП на чтение, МБ/с66848729
Макс. ПСП на запись, МБ/с42805686
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс52.545.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс61.552.9
Минимальная латентность случайного доступа*, нс103.193.6
Максимальная латентность случайного доступа*, нс126.7113.0
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
80.270.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
106.290.2
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
103.794.6
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
131.0114.4

*размер блока 16 МБ

Скоростные показатели модулей в режиме DDR2-800 выглядят приемлемо — по показателям ПСП и задержек модули не уступают своим аналогам от других производителей (например, Corsair XMS2-8000UL). Как обычно, использование более высокой частоты системной шины (266 МГц) приводит к заметному уменьшению задержек.

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр / РежимDDR2-800
Частота FSB, МГц200266
Тайминги4-3-2
(2.2 V)
4-3-2
(2.2 V)
Средняя ПСП на чтение, МБ/с56966971
Средняя ПСП на запись, МБ/с24602518
Макс. ПСП на чтение, МБ/с65428567
Макс. ПСП на запись, МБ/с42825686
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс49.144.6
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс58.952.0
Минимальная латентность случайного доступа*, нс101.192.5
Максимальная латентность случайного доступа*, нс125.5112.4
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
75.068.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
102.788.2
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
101.092.8
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
127.4113.4

*размер блока 16 МБ

Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-800 при использовании питающего напряжения 2.2 В, выглядят впечатляюще, поскольку не уступают абсолютному рекорду, поставленному модулями Corsair XMS2-5400UL, — 4-3-2 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). Учитывая это обстоятельство, факт неработоспособности рассматриваемых модулей в более скоростном режиме DDR2-1000 при номинальных (и даже более медленных) таймингах выглядит достаточно странно.

Итоги

Протестированные модули Patriot DDR2-1000 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей, способных устойчиво функционировать лишь в официальном режиме DDR2-800 — по крайней мере, с участвующей в тестах материнской платой ASUS P5WD2-E Premium (способность функционирования модулях в неофициальных режимах, промежуточных между DDR2-800 и DDR2-1000, не проверялась). В этом режиме модули обладают хорошими скоростными показателями и великолепным «разгоном по таймингам» — они способны функционировать при таймингах 4-3-2 (напряжение питания 2.2 В), чем выставляют себя на уровень модулей Corsair XMS2-5400UL, которым до сих пор принадлежал абсолютный рекорд в данной категории.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Patriot DDR2-1000 2x512МБ Н/Д(0)




Дмитрий Беседин
0 комментариев
Комментировать
Согласен с правилами
Комментировать