Исследование основных характеристик модулей памяти

Часть 9: Модули Samsung DDR2-667

Продолжается цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В настоящей статье будут рассмотрены сразу два типа модулей памяти Samsung DDR2-667, представленных парами 256-МБ и 512-МБ образцов.

Информация о производителе модулей

Производитель модулей и микросхем: Samsung Semiconductor
Сайт производителя модулей и микросхем:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDR2SDRAM/index.htm

Внешний вид модулей

Фото модулей памяти

256-МБ модули

512-МБ модули

Фото микросхем памяти


Микросхемы 256-МБ модулей	Микросхемы 512-МБ модулей

Part Number модулей и микросхем

Part Number модулей

Система назначения Part Number модулей памяти Samsung DDR SDRAM:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR_SDRAM_Module.pdf

256-МБ модули

Поле	Значение	Расшифровка
1	M	Код продукта: «M» = модуль памяти
2	3	Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM
3-4	78	Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM
5	T	Разновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V
6-7	32	Глубина модуля: «32» = 32М
8	5	Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации: «5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс
9	3	Конфигурация микросхем: «3» = x8
10	F	Поколение микросхем: «F» = 7-е поколение
11	G	Упаковка микросхем: «G» = FBGA
12	0	Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует
13		(пропуск)
14	C	Мощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация
15-16	E6	Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5
17-18	0F (по данным SPD)	Особые условия (Customer List Reference)

512-МБ модули

Поле	Значение	Расшифровка
1	M	Код продукта: «M» = модуль памяти
2	3	Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM
3-4	78	Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM
5	T	Разновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V
6-7	64	Глубина модуля: «64» = 64М
8	5	Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации: «5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс
9	3	Конфигурация микросхем: «3» = x8
10	F	Поколение микросхем: «F» = 7-е поколение
11	G	Упаковка микросхем: «G» = FBGA
12	0	Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует
13		(пропуск)
14	C	Мощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация
15-16	E6	Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5
17-18	0F (по данным SPD)	Особые условия (Customer List Reference)

Part Number микросхем

Система назначения Part Number микросхем памяти Samsung DDR2:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR2_code.pdf

Микросхемы 256/512-МБ модулей

Поле	Значение	Расшифровка
1	K	Код продукта: «M» = модуль памяти
2	4	Тип продукта: «4» = DRAM
3	T	Подтип продукта: «T» = DDR2 SDRAM
4-5	56	Емкость: «56» = 256М
6-7	08	Логическая организация: «08» = x8
8	3	Количество внутренних банков: «3» = 4 банка
9	Q	Питающий интерфейс, VDD, VDDQ: «Q» = SSTL, 1.8V, 1.8V
10	F	Поколение: «F» = 7-е поколение
11		(пропуск)
12	G	Упаковка: «G» = FBGA
13	C	Температурный режим, энергопотребление: «C» = нормальный
14-15	E6	Скорость: «E6» = DDR2-667 (333 МГц, t_CL=5, t_RCD=5, t_RP=5)
16	(пусто)	Тип комплектования
17-18	(пусто)	Особые условия (Customer List Reference)

Расшифровки Part Number рассматриваемых модулей и микросхем (оба модуля комплектуются одними и теми же 32Мx8 микросхемами памяти) выглядят практически безупречно, каких-либо «нестыковок» между расшифровками номеров модулей и микросхем не наблюдается.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2 — SERIAL PRESENCE DETECT STANDARD, General Standard

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Содержимое SPD 256-МБ модулей

Параметр	Байт	Значение	Расшифровка
Фундаментальный тип памяти	2	08h	DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля	3	0Dh	13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти	5	60h	1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти	6	40h	64 бит
Уровень питающего напряжения	8	05h	SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t_CK) при максимальной задержке CAS# (CL X)	9	30h	3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля	11	00h	Non-ECC
Тип и способ регенерации данных	12	82h	7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти	13	08h	x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля	14	00h	Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)	16	0Ch	BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле	17	04h	4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)	18	38h	CL = 3, 4, 5
Минимальная длительность периода синхросигнала (t_CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)	23	3Dh	3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t_CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)	25	50h	5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t_RP)	27	3Ch	15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t_RRD)	28	1Eh	7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t_RCD)	29	3Ch	15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t_RAS)	30	27h	39.0 нс 13, CL = 5 10, CL = 4 8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти	31	40h	256 МБ
Период восстановления после записи (t_WR)	36	3Ch	15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t_WTR)	37	1Eh	7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t_RTP)	38	1Eh	7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t_RC)	41, 40	36h, 00h	54.0 нс 18, CL = 5 14, CL = 4 11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t_RFC)	42, 40	4Bh, 00h	75.0 нс 25, CL = 5 20, CL = 4 15, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t_CKmax)	43	80h	8.0 нс
Номер ревизии SPD	62	12h	Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62	63	09h	9 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC	64-71	CEh	Samsung
Part Number модуля	73-90		M3 78T3253FG0-CE6 0F
Дата изготовления модуля	93-94	04h, 44h	2004 год, 44 неделя
Серийный номер модуля	95-98	45h, 05h, B3h, FFh	FFB30545h

Содержимое SPD 512-МБ модулей

Параметр	Байт	Значение	Расшифровка
Фундаментальный тип памяти	2	08h	DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля	3	0Dh	13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти	5	61h	2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти	6	40h	64 бит
Уровень питающего напряжения	8	05h	SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t_CK) при максимальной задержке CAS# (CL X)	9	30h	3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля	11	00h	Non-ECC
Тип и способ регенерации данных	12	82h	7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти	13	08h	x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля	14	00h	Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)	16	0Ch	BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле	17	04h	4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)	18	38h	CL = 3, 4, 5
Минимальная длительность периода синхросигнала (t_CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)	23	3Dh	3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t_CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)	25	50h	5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t_RP)	27	3Ch	15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t_RRD)	28	1Eh	7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t_RCD)	29	3Ch	15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t_RAS)	30	27h	39.0 нс 13, CL = 5 10, CL = 4 8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти	31	40h	256 МБ
Период восстановления после записи (t_WR)	36	3Ch	15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t_WTR)	37	1Eh	7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t_RTP)	38	1Eh	7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t_RC)	41, 40	36h, 00h	54.0 нс 18, CL = 5 14, CL = 4 11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t_RFC)	42, 40	4Bh, 00h	75.0 нс 25, CL = 5 20, CL = 4 15, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t_CKmax)	43	80h	8.0 нс
Номер ревизии SPD	62	12h	Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62	63	09h	9 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC	64-71	CEh	Samsung
Part Number модуля	73-90		M3 78T6453FG0-CE6 0F
Дата изготовления модуля	93-94	04h, 45h	2004 год, 45 неделя
Серийный номер модуля	95-98	45h, 07h, B7h, FFh	FFB70745h

Данные микросхемы SPD 256-МБ и 512-МБ модулей выглядят практически идентично единственное значимое различие наблюдается лишь в количестве банков, что полностью соответствует внешнему виду исследуемых образцов (256-МБ модули однобанковые, 512-МБ двухбанковые, физический банк состоит из восьми микросхем 32М x8). Модули Samsung DDR2-667 способны функционировать при трех различных величинах задержки CAS#: 5, 4 и 3. Соответствующие этим случаям временные (частотные) режимы функционирования модулей 3.0 нс (333 МГц), 3.75 нс (266 МГц) и 5.0 нс (200 МГц), а соответствующие схемы важнейших таймингов 5-5-5-13 (значение последнего тайминга t_RAS, надо заметить, несколько сокращено по сравнению со «стандартным» значением 15), 4-4-4-10 (при условии округления t_RAS в меньшую сторону) и 3-3-3-8 (аналогично). Из «необычностей» следует отметить использование номера новейшей ревизии SPD модулей DDR2 1.2 (еще не представленной документально на сайте JEDEC). Всевозможные номера Part Number, дата изготовления и серийный номер полностью прописаны и соответствуют действительности, что говорит о пунктуальности производителя и создает образ высокого качества продукции.

Конфигурации тестовых стендов и ПО

Тестовый стенд №1

Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
Чипсет: Intel 925X
Материнская плата: Gigabyte 8ANXP-D, версия BIOS от 06/07/2004
Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №2

Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
Чипсет: Intel 925X
Материнская плата: MSI 925X Neo, версия BIOS от 12/16/2004
Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №3

Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
Чипсет: Intel 925XE
Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS F2 от 12/07/2004
Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №4

Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
Чипсет: Intel 925XE
Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №5

Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
Чипсет: Intel 925XE
Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS от 12/07/2004
Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №6

Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
Чипсет: Intel 925XE
Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Результаты тестирования

Тесты производительности

Несмотря на отмеченную выше схему таймингов 4-4-4-10 для случая DDR2-533, полученную округлением значения t_RAS в меньшую сторону, в первой серии тестов все материнские платы выставили по умолчанию (Memory Timings: «by SPD») схему 4-4-4-11. Как бы там ни было, выставленное в настройках чипсета значение последнего параметра рассматриваемыми модулями памяти, как и большинством других, игнорируется, в чем мы убедились в следующей серии тестов.

Тесты 256-МБ модулей

Параметр	Стенд 1	Стенд 2	Стенд 3	Стенд 4	Стенд 5^*	Стенд 6^*
Тайминги	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11
Средняя ПСП на чтение, МБ/с	4987	5548	5551	5570	6926	6840
Средняя ПСП на запись, МБ/с	1929	2017	1983	1946	2248	2252
Макс. ПСП на чтение, МБ/с	6474	6376	6446	6394	8214	8045
Макс. ПСП на запись, МБ/с	4287	4265	4256	4287	5694	5662
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	47.7	50.1	50.3	50.1	43.0	43.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	54.4	57.5	57.7	57.4	50.3	50.8
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс	117.6	117.8	118.1	117.1	105.8	106.6
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс	135.2	135.5	136.1	134.7	123.3	124.3
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	77.9	78.2	78.5	77.4	66.4	67.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	97.9	96.9	99.1	96.2	87.0	87.9
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	118.5	118.7	119.1	117.9	106.4	107.3
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	138.5	138.2	139.1	137.3	126.0	127.1

^*частота FSB 266.7 МГц
^**размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

Параметр	Стенд 1	Стенд 2	Стенд 3	Стенд 4	Стенд 5^*	Стенд 6^*
Тайминги	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11	4-4-4-11
Средняя ПСП на чтение, МБ/с	5001	5584	5586	5608	6978	6949
Средняя ПСП на запись, МБ/с	2403	2418	2400	2424	2720	2673
Макс. ПСП на чтение, МБ/с	6484	6442	6458	6433	8288	8184
Макс. ПСП на запись, МБ/с	4287	4265	4256	4287	5695	5688
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	47.6	50.0	50.2	49.9	43.0	43.0
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	54.4	57.4	57.5	57.2	50.2	50.2
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс	116.5	116.7	117.1	116.1	104.4	104.6
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс	134.3	134.3	135.1	133.7	122.0	121.8
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	77.9	78.1	78.3	77.5	66.4	66.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	97.8	96.9	97.2	96.3	86.7	86.8
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	117.3	117.4	117.8	116.9	105.0	105.2
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	137.1	137.5	137.5	136.5	123.8	124.1

^*частота FSB 266.7 МГц
^**размер блока 16 МБ

Интересно отметить, что двухбанковые 512-МБ модули по большинству параметров (в частности, средней ПСП на чтение и запись) показывают некоторое преимущество перед однобанковыми 256-МБ образцами. Ощутимое отставание системной платы Gigabyte 8ANXP-D (стенд №1) с чипсетом i925X по величинам средней ПСП на чтение по сравнению с другими платами на чипсетах семейства i925X/XE можно объяснить использованием более ранней версией BIOS, которая, по всей вероятности, не включает «режим производительности» (PAT) контроллера памяти. Платы MSI 925X Neo (стенд №2), ECS PF21 Extreme (стенд №3) и Gigabyte 8AENXP-D (стенд №4) при функционировании на штатной частоте FSB 200 МГц показывают примерно равный результат. При функционировании двух последних с частотой системной шины 266 МГц плата ECS PF21 Extreme (стенд №5) демонстрирует небольшое преимущество над Gigabyte 8AENXP-D (стенд №6).

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением t_CL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью специально разработанной нами вспомогательной утилиты, которая вскоре выйдет в свет в виде отдельного приложения, поставляемого вместе с тестовым пакетом RMMA.

Тесты 256-МБ модулей

Параметр	Стенд 1	Стенд 2	Стенд 3	Стенд 4	Стенд 5^*	Стенд 6^*
Тайминги	3-4-4	3-3-4	3-4-4	3-4-4	3-4-4	3-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с	5169	5645	5593	5674	7042	7003
Средняя ПСП на запись, МБ/с	2018	2254	2197	2032	2472	2292
Макс. ПСП на чтение, МБ/с	6506	6426	6466	6453	8245	8125
Макс. ПСП на запись, МБ/с	4287	4265	4256	4287	5694	5667
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	46.0	48.5	48.8	48.1	41.3	41.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	52.3	55.3	55.6	54.9	47.9	48.2
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс	114.4	110.4	115.5	114.2	102.4	103.4
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс	131.8	129.0	132.8	131.5	119.8	121.2
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	76.0	75.9	76.8	75.7	64.0	64.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	95.4	95.1	97.3	94.2	83.3	83.4
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	115.3	111.0	116.2	114.8	103.4	103.8
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	135.1	130.6	136.4	134.4	121.4	122.7

^*частота FSB 266.7 МГц
^**размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

Параметр	Стенд 1	Стенд 2	Стенд 3	Стенд 4	Стенд 5^*	Стенд 6^*
Тайминги	3-4-4	3-3-4	3-4-4	3-4-4	3-4-4	3-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с	5188	5674	5637	5683	7114	7009
Средняя ПСП на запись, МБ/с	2429	2369	2396	2452	2722	2698
Макс. ПСП на чтение, МБ/с	6507	6430	6481	6465	8341	8153
Макс. ПСП на запись, МБ/с	4287	4265	4256	4287	5695	5667
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	46.0	48.5	48.6	48.1	41.0	41.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	52.4	55.3	55.5	55.0	47.8	48.2
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс	113.4	109.4	114.3	113.2	101.2	102.3
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс	130.7	127.9	131.7	130.3	118.7	119.8
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	76.1	76.4	76.7	75.5	63.5	64.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки)	95.1	95.1	95.5	94.1	82.5	83.4
Минимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	114.2	110.4	115.0	113.8	101.8	102.7
Максимальная латентность случайного доступа^**, нс (без аппаратной предвыборки)	134.3	129.7	134.4	133.2	119.5	120.9

^*частота FSB 266.7 МГц
^**размер блока 16 МБ

Минимальные значения таймингов, достижимые для обоих видов модулей в режиме DDR2-533 на большинстве материнских плат 3-4-4, являются весьма умеренными, особенно если учесть, что исследуемые модули рассчитаны на режим DDR2-667. Кроме того, на материнской плате MSI 925X Neo (стенд №2) как 256-МБ, так и 512-МБ модули позволили выставить схему таймингов 3-3-4, что незамедлительно сказалось на снижении латентности случайного доступа примерно на 5 нс относительно значений, полученных на других материнских платах при прочих равных условиях (стенды №1, №3 и №4).

Итоги

Протестированные образцы 256-МБ и 512-МБ модулей памяти Samsung DDR2-667 обладают хорошей совместимостью с использованными моделями материнских плат на чипсетах i925X и i925XE, хорошей производительностью (величины ПСП и латентностей типичны для высокопроизводительных модулей, функционирующих в режиме DDR2-533) и умеренным «разгонным потенциалом» по таймингам (функционируют при уменьшении величины t_CL на единицу относительно номинала на всех системных платах, принявших участие в исследовании). Кроме того, нельзя не отметить тщательный и пунктуальный подход производителя к маркировкам модулей, микросхем и содержимому микросхемы SPD модулей, что создает образ высокого качества продукции.

Модули памяти Samsung DDR2-667 предоставлены компаниями MERLION и ZEON